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 0.11 Ultra-low Leakage

 

 Overview
        公司 0.11 ULL采用了铝互连技术,1P8M 架构,提供1.5V 内核器件及3.3V 输入输出器件,具备超低漏电特点,器件特征Ioff (pA/um)<0.5。

 

 Key Features 
- Single poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Device Ioff (typical) <0.5 pA/um

 

 Applications
- MCU
- IOT


 

 0.11 ULL flash 

 

 Overview
        公司 0.11 ULL flash 工艺是基于0.11 ULL工艺嵌入flash, 逻辑器件与ULL兼容。提供超低功耗模拟IP。

 

 Key Features
- Double poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Competitive flash macro cell size

 

 Application 
- MCU
- IOT

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